MARCA GIGABYTE NUMERO DE PARTE GP-GSM2NE3100TNTD CAPACIDAD 1 TB INTERFAZ PCI-E 3.0 X4 VELOCIDAD DE LECTURA 2500 MB/S VELOCIDAD DE ESCRITURA 2100 MB/S FORMATO 2280 TIPO DE CHIP TIPO CHIP NAND FLASH DIMENSIONES DEL PRODUCTO 80 x 22 x 2.3 MM CONDICIONES DE OPERACION TEMPERATURA 0°C A 70°C CONDICIONES DE ALMACENAJE TEMPERATURA -40°C A 85°C

Unidad en estado solido Gigabyte GP-GSM2NE3100TNTD, 1TB, M.2, 2280, NVMe PCIe 3.0 x4. Velocidad de escritura 2100 MB/s, velocidad de lectura 2500 MB/s, NAND Flash.